博思數據:全球IGBT市場規模及競爭格局分析

    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

    IGBT 在智能電網的相關設備中起到至關重要的作用。顯而易見，在智能電網建設的過程中，IGBT 成為整個領域最受益的產品。IGBT 是交流系統與直流系統的補償裝置中核心器件。而在整流，直流傳輸與換流器發揮著重要作用。

    中國智能電網的建設已進入第二階段的尾聲，在大力建設特高壓、數字化變電站的同時，智能調度將逐漸引入，用電信息采集和智能電表的需求也將有較快增長。2009-2020年國家電網總投資3.45萬億元，其中智能化投資3841億元，占電網總投資的11.1%。第一階段2009-2010年的電網總投資為5510億元，智能化投資為341億元，占電網總投資的6.2%；第二階段電網總投資為15000億元，智能化投資為1750億元，占總投資的11.7%；第三階段電網總投資為14000億元，智能化投資為1750億元，占總投資的12.5%。

    IGBT既具有MOSFET 器件驅動功率小、開關速度快的優點，又具有雙極型器件容飽和壓降低而容量大的優點，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，特別是在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

    IGBT 的工業應用包括交通控制、功率變換器、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費方面，IGBT 用于家用電器、相機和手機等。

    據博思數據發布的《2016-2022年中國IGBT功率模塊市場分析與投資前景研究報告》：2010年全球IGBT市場規模為30.06億美元，2011年全球IGBT市場規模激增至40.34億美元，增速達34%。當中Infineon公司IGBT銷售業務從2010年的6.1億美元上升至2011年的7.8億美元。2012-2013年全球IGBT市場規模下滑較為明顯，2014年全球IGBT市場規模回升至38.45億美元，2015年全球IGBT市場規模回落至36.21億美元。

2010-2015年全球IGBT市場規模統計
 

資料來源：Infineon

    國外研發IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、東芝、富士等。中國功率半導體市場占世界市場的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業壟斷。

    國外企業如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發的IGBT器件產品規格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產品系列。

    全球IGBT行業市場集中度高，當中日本三菱集團（Mitsubishi）占全球市場份額的26.1%；英飛凌（Infineon）市場占有率為20.5%；日本富士電機（Fuji Electric）市場占有率為12.2%，全球前五大生產商占據市場總量的74%。

全球IGBT市場競爭格局
 

資料來源：Infineon

    IGBT 是節能和新能源產業的快速發展的重要推動力和受益者：從產品的最終應用領域分，家用電器領域IGBT需求為6.37億美元，占全球需求總量的17.6%；基礎設施領域IGBT需求為5.18億美元，占比為14.3%；鐵路領域領域IGBT需求為2.90億美元，占比為8.0%。